ZEISS FE-SEM
提升半導體封裝分析的洞察力
隨著封裝技術轉向 3D 結構,連接尺寸減小並且材料複雜度增加,相應的製程開發和分析面臨著重大挑戰。
ZEISS FE-SEM系列提供的故障分析技術支援下一世代裝置的複雜性,並提供解析度增強,以配合這些先進技術。
了解MCS Labs如何使用ZEISS FE-SEM進行失效分析
無畸變的大視野高像素解析成像
使用ZEISS的FE-SEM Gemini光學技術進行增強成像
結合高像素解析度達32K x 24K,允許成像細節,同時維持 ROI 的拍攝區域。
Gemini光學技術提供出色的低電壓成像, immersion-free optics 或階段偏置,對於成像非導電和對電子束敏感的高級封裝中的軟聚合物材料至關重要。
為無與倫比的材料和晶向對比
打造增強探測器
不論是檢查矽通孔(TSV)、銅對銅焊點、焊料材料、金屬間化合物(IMC)層還是銅線焊點,Gemini柱配備升級的探測器,提供無與倫比的成像性能。
卓越的材料相位和通道對比,為故障分析和製程特性提供常規實現的洞察力。
無與倫比的穩定性和使用便捷性
在切換加速電壓的同時保持圖像處於完美對焦狀態
ZEISS FE-SEM被設計成在調整加速電壓的同時輕鬆保持對焦。這段未剪輯的視頻展示了從15千伏切換到20伏的無縫過渡,呈現了一張始終清晰而對焦的圖像,無需手動對齊或調整,除了亮度和對比度。
這不僅確保了一致的對焦,還使您的工作流程更加流暢,減少了捕捉高質量圖像所需的循環時間和努力,實現了新的效率和生產力水平。
Beam sleeve 和 VP 模式,用於高解析度成像
對軟性和非導電樣品進行準確的 EDS 分析
ZEISS FE-SEM incorporates a beam sleeve and Variable Pressure (VP) imaging mode to enhance the resolution and analysis of non-conductive and soft materials without extensive sample preparation.
The beam sleeve minimizes the beam path through the low vacuum region, improving signal to noise for high resolution imaging and Energy-Dispersive X-ray Spectroscopy (EDS) analysis further reducing charging effects, and beam-induced damage.
ZEISS FE-SEM採用beam sleeve和可變壓力(VP)成像模式,以提高對非導電和軟性材料的解析度和分析,無需進行大量樣品準備。
束套減少了光束通過低真空區域的路徑,提高了高解析度成像和能量散射 X-ray 光譜(EDS)分析的訊噪比,進一步減少了充電效應和光束誘發損傷。
拼接成像和關聯工作流程
用於自動化 ROI 的獲取
ZEISS FE-SEM的基於配方的自動化圖像獲取極大地促進了大面積成像工作流程,使在多個感興趣區域(ROI)和樣品之間的成像過程變得更簡便並實現自動化。
這一強大的功能消除了手動干預的需要,實現了對大範圍區域的高效成像。此外,ZEISS關聯工作流程允許將來自多種模式和不同工具(如光學顯微鏡、2D X-ray 等)獲取的數據無縫結合,引導對特定感興趣區域的獲取。
通過整合來自不同成像技術的數據,可以獲得對樣品的全面理解,從而實現更準確的分析和深入的結果。
大型樣品倉搭配端口,經過優化的幾何形狀,適用 EDS 分析
immersion-free optics 配置,適用於 EBSD
大型樣品倉室經過優化,設有多個端口,適用於180度能量散射光譜(EDS)獲取和電子背散射衍射(EBSD)分析。Gemini柱快速切換低電流和高電流模式,再加上 immersion-free optics 配置,使其易於使用並能在分析工作中無生成物。
下載奈米級故障分析白皮書的關聯工作流程
先進封裝
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揭示先進封裝結構的真正潛力,消除在物理故障分析(PFA)工作流程中遺漏或破壞故障區域的風險。通過專有的微加工過程提高專業技能,為高解析度的掃描電子顯微鏡(SEM)分析準備無變形表面。
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